반도체 개발 프로세스 semiconductor tech. development process

개발 테스트 마스크 제작 후 공정 진행하며 분석

L1 : 라인 내 비파괴분석 Top view 2D by in-line SEM
      파괴분석 Vertical 2D로 구조분석 by TEM -> 단면사진
  -> 위 2가지로 3D적인 구조 유추

L2 : ET(Electrical ) 전기적인 성능, 비정상적 단락과 개방을 확인 by probe station
  -> 성능(Output curve, Transfer curve), 메모리적 동작, 레이어별로 저항과 Capacitance를 확인해 저항/Cap값을 보고 L1에서 구조를 재조정하거나 FA(Failure Analysis)로 단락 혹은 개방된 곳을 찾아 개선한다.

L3 : 신뢰성 테스트 -> 일정 이상의 성능을 몇년 동안 보장할수 있는지
     몇년동안 테스트를 할 수 없으므로 가혹한 환경을 주고 이를 외삽하여 유추한다.


After making photo-mask for semiconductor develop test
analysis of each progressing to making device
L1 : Non-Destructive Testing by in-LINE SEM -> Top view 2D image
      Destructive Testing by TEM -> Vertical 2D image
    -> Guessing 3D image by considering above 2-way image.
L2 : Testing Electrical performance and finding abnormal electrical short and line open by probe station -> performance check with Output curve, Transfer curve and memory window / checking resistance and capacitance with each layer test drawing  / find failure points where it happen and distribution in wafer -> back to L1 for solving this failures

L3 : Reliability test -> how long years guarantee of this device
   practically it can't be testing for years, but measuring time in harsh condition
   and extrapolation this time about environment condition